IGBT transistor IRG4BC20FDPBF

IGBT transistor IRG4BC20FDPBF. IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4BC20FD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 16A. Maximaler Kollektorstrom (A): 64A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 43 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 240 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 60W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Originalprodukt vom Hersteller International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 05/06/2025, 20:25.