IGBT transistor IRG4BC20UDPBF
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IGBT transistor IRG4BC20UDPBF. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 93 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 39 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Gehäuse: TO-220AB. Herstellerkennzeichnung: IRG4BC20UD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 13A. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 60W. RoHS: ja. Sammlerspitzenstrom IP [A]: 52A. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:16
IRG4BC20UDPBF
16 Parameter
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
93 ns
Einschaltzeit ton [nsec.]
39 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
6V
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-220AB
Gehäuse
TO-220AB
Herstellerkennzeichnung
IRG4BC20UD
Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]
600V
Kollektorstrom Ic [A]
13A
Komponentenfamilie
IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
60W
RoHS
ja
Sammlerspitzenstrom IP [A]
52A
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier