IGBT transistor IRG4BC20KDPBF. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 180 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 450pF. CE-Diode: ja. Einschaltzeit ton [nsec.]: 54 ns. Funktion: Kurzschlussfester, ultraschneller IGBT. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220 ( AB ). Gehäuse: TO-220. Germaniumdiode: nein. Herstellerkennzeichnung: IRG4BC20KD. Ic(Impuls): 32A. Ic(T=100°C): 9A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G4BC20KD. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 16A. Kollektorstrom: 16A. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 61pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.8V. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 60W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Sammlerspitzenstrom IP [A]: 32A. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.27V. Td(off): 180 ns. Td(on): 54 ns. Trr-Diode (Min.): 37 ns. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:35