IGBT transistor HGTG20N60B3

IGBT transistor HGTG20N60B3. IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: HG20N60B3. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 40A. Maximaler Kollektorstrom (A): 160A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 25 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 220 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 165W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Originalprodukt vom Hersteller Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 05/06/2025, 19:25.