IGBT transistor IHW30N120R5XKSA1

IGBT transistor IHW30N120R5XKSA1. IGBT transistor. C(in): 1800pF. Kosten): 55pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Funktion: Induktives Kochen, Mikrowellenherde. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 60A. Ic(Impuls): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H30MR5. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 330W. RoHS: ja. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 330 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-TO247-3. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.55V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.85V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.4V. Originalprodukt vom Hersteller Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 04/06/2025, 20:25.