IGBT transistor IHW30N120R5XKSA1. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -40...+175°C. C(in): 1800pF. CE-Diode: ja. Funktion: Induktives Kochen, Mikrowellenherde. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.4V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-TO247-3. Gehäuse: TO-247. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H30MR5. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Kollektorstrom: 60A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kosten): 55pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.85V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 330W. RoHS: ja. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.55V. Td(off): 330 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:35