Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IGBT transistor HGTG20N60A4D

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IGBT transistor HGTG20N60A4D. IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 20N60A4D. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 70A. Maximaler Kollektorstrom (A): 280A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 73 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 7V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 290W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Originalprodukt vom Hersteller Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 05/06/2025, 20:25.

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N-Kanal-Transistor, TO-247, PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Gehäuse: PCB-Löten. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: G30N60A4. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 75A. Maximaler Kollektorstrom (A): 240A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 25 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 150 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 7V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 463W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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