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IGBT transistor IKW25N120H3FKSA1

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IGBT transistor IKW25N120H3FKSA1. IGBT transistor. Transistortyp: IGBT-Transistor. Drain-Source-Spannung: 1200V. Kollektorstrom: 50A. Leistung: 326W. Gehäuse: TO-247AC. Eingebaute Diode: ja. Originalprodukt vom Hersteller Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 19/07/2025, 09:25.

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