IGBT transistor IRG4BC30FDPBF. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 230 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 42 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Gehäuse: TO-220AB. Herstellerkennzeichnung: IRG4BC30FD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 31A. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 100W. RoHS: ja. Sammlerspitzenstrom IP [A]: 60.4k Ohms. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:16