IGBT transistor FGL40N120ANDTU

IGBT transistor FGL40N120ANDTU. IGBT transistor. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 110 ns. Td(on): 20 ns. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264-3L. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.9V...3.15V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 25V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 7.5V. C(in): 3200pF. Kosten): 370pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Funktion: USV, AC/DC-Motorsteuerungen und Allzweck-Wechselrichter. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 64A. Ic(Impuls): 160A. Ic(T=100°C): 40A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FGL40N120AND. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 500W. Spec info: NPT-Trench IGBT. Originalprodukt vom Hersteller ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.