IGBT transistor FGL40N120ANDTU

IGBT transistor FGL40N120ANDTU. IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-264. Gehäuse (JEDEC-Standard): Kunststoffrohr. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FGL40N120AND. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 1.2 kV. Kollektorstrom Ic [A]: 40A. Maximaler Kollektorstrom (A): 160A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 110 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5.5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 500W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 110 ns. Td(on): 20 ns. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264-3L. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.9V...3.15V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 25V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 7.5V. Originalprodukt vom Hersteller ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 05/06/2025, 19:25.