IGBT transistor IRG4PC30FDPBF

IGBT transistor IRG4PC30FDPBF

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IGBT transistor IRG4PC30FDPBF. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 230 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 42 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Gehäuse: TO-247AC. Herstellerkennzeichnung: IRG4PC30FD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 31A. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 100W. RoHS: ja. Sammlerspitzenstrom IP [A]: 60.4k Ohms. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:16

Technische Dokumentation (PDF)
IRG4PC30FDPBF
16 Parameter
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
230 ns
Einschaltzeit ton [nsec.]
42 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
6V
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-247AC
Gehäuse
TO-247AC
Herstellerkennzeichnung
IRG4PC30FD
Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]
600V
Kollektorstrom Ic [A]
31A
Komponentenfamilie
IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
100W
RoHS
ja
Sammlerspitzenstrom IP [A]
60.4k Ohms
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier