IGBT transistor IRG4PF50WPBF. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 110 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 3300pF. CE-Diode: nein. Einschaltzeit ton [nsec.]: 29 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Gehäuse: TO-247. Germaniumdiode: nein. Herstellerkennzeichnung: IRG4PF50W. Ic(Impuls): 204A. Ic(T=100°C): 28A. Kanaltyp: N. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 900V. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 900V. Kollektorstrom Ic [A]: 51A. Kollektorstrom: 51A. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 200pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Sammlerspitzenstrom IP [A]: 204A. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.25V. Td(off): 110 ns. Td(on): 29 ns. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:35