IGBT transistor IRG4PF50WPBF

IGBT transistor IRG4PF50WPBF. IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4PF50W. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 900V. Kollektorstrom Ic [A]: 51A. Maximaler Kollektorstrom (A): 204A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 29 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 110 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 110 ns. Td(on): 29 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.25V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 900V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Originalprodukt vom Hersteller International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 07:25.