IGBT transistor IRG4PH20KDPBF

IGBT transistor IRG4PH20KDPBF. IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4PH20KD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 1.2 kV. Kollektorstrom Ic [A]: 11A. Maximaler Kollektorstrom (A): 22A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 50 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 100 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6.5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 60W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Originalprodukt vom Hersteller International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 07:25.