IGBT transistor IRGB14C40LPBF. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 825pF. CE-Diode: nein. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 1.3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 2.2V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Gehäuse: TO-220. Germaniumdiode: ja. Hinweis: integrierte Widerstände R1 G (75 Ohm), R2 GE (20k Ohm). Ic(T=100°C): 14A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: GB14C40L. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Kollektorstrom: 20A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 150pF. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 208W. RoHS: ja. Spec info: IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Td(off): 8.3 ns. Td(on): 1.35 ns. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:35