IGBT transistor IXGH39N60BD1

IGBT transistor IXGH39N60BD1. IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AD. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 39N60BD1. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 76A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 25 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 500 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Maximaler Kollektorstrom (A): 152A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 01:25.