IGBT transistor IXXK200N65B4. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 760pF. CE-Diode: nein. Funktion: Extreme Light Punch Through, IGBT for 10-30kHz Switching. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 1200A. Ic(T=100°C): 200A. Kanaltyp: N. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 650V. Kollektorstrom: 480A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Kosten): 220pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 1630W. RoHS: ja. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 1200A. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Td(off): 226 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: XPT™ 900V IGBT, GenX4™. Trr-Diode (Min.): -. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 19:59