IGBT transistor SGH80N60UFDTU

IGBT transistor SGH80N60UFDTU. IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3PN. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: SGH80N60UF. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 80A. Maximaler Kollektorstrom (A): 220A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 23 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 130 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6.5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 195W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Originalprodukt vom Hersteller Onsemi (fairchild). Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 08:25.