IGBT transistor STGW60V60DF. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 8000pF. CE-Diode: ja. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 7V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gehäuse: TO-247. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: GW60V60DF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Kollektorstrom: 80A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kosten): 280pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 375W. RoHS: ja. Spec info: Trench gate field-stop IGBT, V series. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.85V. Td(off): 216 ns. Td(on): 57 ns. Trr-Diode (Min.): 74 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 10:40