IKP15N60T

IKP15N60T. C(in): 860pF. Kosten): 55pF. Kanaltyp: N. Funktion: Hochgeschwindigkeits-IGBT in NPT-Technologie. Kollektorstrom: 15A. Ic(Impuls): 45A. Ic(T=100°C): 15A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K15T60. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 130W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 188 ns. Td(on): 17 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220-3-1. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.05V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.7V. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.