Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 1 | 11.20€ | 13.44€ |
2 - 2 | 10.64€ | 12.77€ |
3 - 4 | 10.08€ | 12.10€ |
5 - 9 | 9.52€ | 11.42€ |
10 - 14 | 9.30€ | 11.16€ |
15 - 19 | 9.08€ | 10.90€ |
20 - 132 | 8.74€ | 10.49€ |
Menge | U.P | |
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1 - 1 | 11.20€ | 13.44€ |
2 - 2 | 10.64€ | 12.77€ |
3 - 4 | 10.08€ | 12.10€ |
5 - 9 | 9.52€ | 11.42€ |
10 - 14 | 9.30€ | 11.16€ |
15 - 19 | 9.08€ | 10.90€ |
20 - 132 | 8.74€ | 10.49€ |
IKW25T120. C(in): 1860pF. Kosten): 96pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Funktion: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. Kollektorstrom: 50A. Ic(Impuls): 75A. Ic(T=100°C): 25A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K25T120. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 190W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 560 ns. Td(on): 50 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 23:25.
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