IKW50N60H3

IKW50N60H3. C(in): 116pF. Kosten): 2960pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Diodenschwellenspannung: 1.65V. Funktion: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Kollektorstrom: 100A. Ic(Impuls): 200A. Ic(T=100°C): 50A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K50H603. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 333W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 235 ns. Td(on): 23 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.85V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.