IL207AT
Menge
Stückpreis
1-4
0.50€
5-24
0.44€
25-49
0.40€
50-99
0.38€
100+
0.34€
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IL207AT. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Betriebstemperatur: -55...+100°C. CTR: 100...200 %. Diode IF: 60mA. Diodenleistung: 90mW. Diodenschwellenspannung: 1.3V. Funktion: Fototransistor-Ausgang, mit Basisanschluss. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Ic(Impuls): 100mA. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. Kollektorstrom: 50mA. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Tf (Typ): 3us. VCBO: 70V. VECO: 7V. VRRM: 4000V. Vebo: 7V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 24/11/2025, 10:27
IL207AT
23 Parameter
Anzahl der Terminals
8:1
Ausgang
Transistorausgang mit Basis
Betriebstemperatur
-55...+100°C
CTR
100...200 %
Diode IF
60mA
Diodenleistung
90mW
Diodenschwellenspannung
1.3V
Funktion
Fototransistor-Ausgang, mit Basisanschluss
Gehäuse (laut Datenblatt)
SO-8
Gehäuse
SO
Ic(Impuls)
100mA
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
70V
Kollektorstrom
50mA
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
150mW
RoHS
ja
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.4V
Tf (Typ)
3us
VCBO
70V
VECO
7V
VRRM
4000V
Vebo
7V
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay