IPA80R1K0CEXKSA2

IPA80R1K0CEXKSA2. C(in): 785pF. Kosten): 33pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 520 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: ID pulse 18A. Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5.7A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 10uA. Hinweis: komplett isoliertes Gehäuse (2500VAC/60s). Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 8R1K0CE. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 32W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.83 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP-3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: -20V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 23:25.