Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 1 | 34.80€ | 41.76€ |
2 - 2 | 33.06€ | 39.67€ |
3 - 4 | 31.32€ | 37.58€ |
5 - 9 | 29.58€ | 35.50€ |
10 - 14 | 28.88€ | 34.66€ |
15 - 19 | 28.19€ | 33.83€ |
20 - 50 | 27.14€ | 32.57€ |
Menge | U.P | |
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1 - 1 | 34.80€ | 41.76€ |
2 - 2 | 33.06€ | 39.67€ |
3 - 4 | 31.32€ | 37.58€ |
5 - 9 | 29.58€ | 35.50€ |
10 - 14 | 28.88€ | 34.66€ |
15 - 19 | 28.19€ | 33.83€ |
20 - 50 | 27.14€ | 32.57€ |
IPB020N10N5LFATMA1. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60.4k Ohms. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohms @ 100A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3.3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 128 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 840pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 313W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 23:25.
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