IPB80N03S4L-02

IPB80N03S4L-02. C(in): 7500pF. Kosten): 1900pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 120ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Automotive AEC Q101 qualifiziert. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): 0.01uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4N03L02. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 136W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.4M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 62 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: Leistungs-MOSFET-Transistor. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Vgs(th) max.: 2.2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Extrem niedriger Einschaltwiderstand. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 23:25.