IR2109PBF
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IR2109PBF. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 8:1. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: DIP8. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +125°C.. RoHS: ja. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. [V]: +20V/600V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:50
IR2109PBF
10 Parameter
Anzahl der Kreise
1
Anzahl der Terminals
8:1
Gehäuse
DIP8
Komponentenfamilie
MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+125°C.
RoHS
ja
Schaltungstyp
Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung
[V]
+20V/600V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier