MOSFET-Steuerung

Hinweis: Einkanaliger Leistungs-MOSFET-Treiber. Hinweis: EL7104CNZ. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

Hinweis: Einkanaliger Leistungs-MOSFET-Treiber. Hinweis: EL7104CSZ. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8

Funktion: Monolithischer Halbbrücken-Gate-Treiber-IC. Produktionsdatum: 2014/18. Hinweis: VB 625V. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 7380. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+125°C. VCC: 10...20V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP16. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 16. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-H-Brücken-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +8.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +15V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Hinweis: Treibt N-Kanal-MOSFETs an. Hinweis: Z-IC. Anzahl der Terminals: 24. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-24

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 2. Mindestversorgungsspannung (V): -15V/+4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +15V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 2. Mindestversorgungsspannung (V): -15V/+4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +15V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

Hinweis: Vout 10V...20V, Io 2A...2.5A. Hinweis: Io+ 210mA, Io- 360mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C

Hinweis: Vout 10V...20V, Io 2A...2.5A. Hinweis: Io+ 210mA, Io- 360mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1W. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Gehäuse (JEDEC-Standard): Leiterplattendurchsteckmontage. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/500V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO16W. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 16. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/500V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

Ausgangsstrom (max): 0.2A...0.42A. Ausgangsspannung: 10V...20V. Anzahl der Terminals: 14. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io 0.2/0.42A. Anzahl der Terminals: 16. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-16

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO16W. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 16. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io +-2A 2.5A. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14