IR2110PBF

IR2110PBF

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IR2110PBF. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 14. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: DIP14. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +125°C.. RoHS: ja. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. [V]: +20V/500V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:50

Technische Dokumentation (PDF)
IR2110PBF
10 Parameter
Anzahl der Kreise
1
Anzahl der Terminals
14
Gehäuse
DIP14
Komponentenfamilie
MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+125°C.
RoHS
ja
Schaltungstyp
Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung
[V]
+20V/500V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier