IRF1324

IRF1324. C(in): 5790pF. Kosten): 3440pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 46 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Sw.. Id(imp): 1412A. ID (T=100°C): 249A. ID (T=25°C): 353A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 83 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 24V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 21:25.