IRF2805

IRF2805. C(in): 5110pF. Kosten): 1190pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnelles Schalten, Automobilanwendungen. Id(imp): 700A. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 75A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 330W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.9M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 68 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 20:25.