IRF3315

IRF3315. C(in): 1300pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 174 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 108A. ID (T=100°C): 19A. ID (T=25°C): 27A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 136W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.07 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 49 ns. Td(on): 9.6 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 150V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 20:25.