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IRF3711. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. ID (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 110A. IDSS (max): 110A. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.047 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 20V. Funktion: td(on) 12ns, td(off) 17ns. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 20:25.
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