IRF3711S

IRF3711S. C(in): 2980pF. Kosten): 1770pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 48 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochfrequenzisolierter DC-DC. Id(imp): 440A. ID (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 110A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Einschaltwiderstand Rds On: 4.7M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 17 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 20:25.