IRF3711ZS

IRF3711ZS. C(in): 2150pF. Kosten): 680pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 16 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Synchroner Hochfrequenz-Abwärtswandler. Id(imp): 380A. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 92A. IDSS (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 79W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0048 Ohm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 15 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.45V. Vgs(th) min.: 1.55V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 20:25.