IRF540Z

IRF540Z. C(in): 1770pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 33 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 36A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 92W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 43 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Einschaltwiderstand Rds On: 21 milliOhms. Funktion: Extrem niedriger Einschaltwiderstand, <0,021 Ohm. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 14:25.