Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 0.73€ | 0.88€ |
5 - 9 | 0.69€ | 0.83€ |
10 - 24 | 0.65€ | 0.78€ |
25 - 49 | 0.62€ | 0.74€ |
50 - 99 | 0.92€ | 1.10€ |
100 - 249 | 1.05€ | 1.26€ |
250 - 345 | 0.74€ | 0.89€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 0.73€ | 0.88€ |
5 - 9 | 0.69€ | 0.83€ |
10 - 24 | 0.65€ | 0.78€ |
25 - 49 | 0.62€ | 0.74€ |
50 - 99 | 0.92€ | 1.10€ |
100 - 249 | 1.05€ | 1.26€ |
250 - 345 | 0.74€ | 0.89€ |
IRF610PBF. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF610PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.2 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 11 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 140pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 36W. Gehäuse (JEDEC-Standard): 36W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 14:25.
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