IRF6215SPBF

IRF6215SPBF. C(in): 860pF. Kosten): 220pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 160 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 110W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.29 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 53 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 150V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 05:25.