FET- und MOSFET-Transistoren

P-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-92, -20V, JFET, TO-92, 20V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -20V. Gehäuse (JEDEC-Standard): JFET. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 20V. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N3820. Drainstrom Idss [A] bei Ug=0V: -15mA. Gate-Source-Breakpoint-Spannung Ugss [V] @ Uds=0V: +8V @ -10V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.36W. Komponentenfamilie: P-Kanal-JFET-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 8V

P-Kanal-Transistor, 6mA, 6mA, TO-18 ( TO-206 ), TO-18. ID (T=25°C): 6mA. IDSS (max): 6mA. Gehäuse: TO-18 ( TO-206 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-18. Menge pro Karton: 1. Funktion: P-FET S. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

P-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-3P, -160V, -8A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3P. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -160V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -8A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: J119. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 90 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1050pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 100W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, 5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 200V. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 100uA. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 800pF. Kosten): 270pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. Id(imp): 20A. Anzahl der Terminals: 3. Einschaltwiderstand Rds On: 0.8 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS (F). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: ja

P-Kanal-Transistor, 6A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 100uA. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 250V. C(in): 1040pF. Kosten): 360pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: SWITCHING, POWER MOS FET. Id(imp): 24A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.55 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 47 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: P-CHANNEL POWER MOS FET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 4 v. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, 5A, 5A, TO-220FP, TO-220FP, 250V. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 5A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 250V. C(in): 800pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 205 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Enhancement Mode Low Drain-Source On Resistance“. Id(imp): 20A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 70 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: Silicon P Chanel Mos Fet. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. G-S-Schutz: ja

P-Kanal-Transistor, 4.5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 100uA. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 250V. C(in): 450pF. Kosten): 120pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultrahigh-Speed Switching, IDP 18App/10us. Id(imp): 18A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.95 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 52 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Silizium-MOSFET-Transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. G-S-Schutz: ja

P-Kanal-Transistor, 12A, 12A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 12A. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251 ( I-Pak ). Spannung Vds(max): 60V. C(in): 720pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: integrierte Schutzdiode. Id(imp): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 23W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.13 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 35 ns. Td(on): 7 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Technologie: P-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor. G-S-Schutz: ja

P-Kanal-Transistor, 500mA, 500mA, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 500mA. IDSS (max): 500mA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 120pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: FET. Funktion: Komplementärtransistor (Paar) 2SK216. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 15V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

P-Kanal-Transistor, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10mA. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 500pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUDIO POWER MOSFET. IDss (min): 10mA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Gate/Source-Spannung Vgs: 14V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ALF08N20V. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, 4.3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=25°C): 4.3A. IDSS (max): 5uA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 933pF. Kosten): 108pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 21 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 25A. ID (T=100°C): 3.8A. IDss (min): 1uA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 1.4W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 42 ns. Td(on): 5.2 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 1.3V. Vgs(th) min.: 0.6V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Einschaltwiderstand Rds On: 0.036 Ohms. Spec info: Betriebs-Gate-Spannung nur 2,5 V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, 9.2A, 50uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 9.2A. IDSS (max): 50uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 2060pF. Kosten): 370pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 7.4A. IDss (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1.7W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0085 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 24 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 4407A. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, 12.5A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 12.5A. IDSS (max): 5uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 2330pF. Kosten): 480pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 28 ns. Transistortyp: FET. Funktion: Schalt- oder PWM-Anwendungen. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 10.5A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 3W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0094 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 49.5 ns. Td(on): 12.8 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja

P-Kanal-Transistor, SO, SO-8. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Kanaltyp: N-P. Funktion: 0.032R&0.048R (32 & 48m Ohms). Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Menge pro Karton: 2. Technologie: MOS-N&P-FET, Complementary ESD rating--3000V (HBM)

P-Kanal-Transistor, 85A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=25°C): 85A. IDSS (max): 5uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 4360pF. Kosten): 1050pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Rolle. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 39.5 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 200A. ID (T=100°C): 65A. IDss (min): 0.01uA. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Einschaltwiderstand Rds On: 5.1M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 51 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2500. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, 18A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 5uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 920pF. Kosten): 190pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Rolle. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 21.4 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 18A. IDss (min): 0.003uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D405. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Einschaltwiderstand Rds On: 24.5m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 20 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2500. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) AOD408. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, 26A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 26A. IDSS (max): 5uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 60V. C(in): 2977pF. Kosten): 241pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Rolle. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 18A. IDss (min): 0.003uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D409. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Einschaltwiderstand Rds On: 32m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 38 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2500. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), DFN8, -30V, -36A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: DFN8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -36A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: 7401. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.017 Ohms @ -7A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2.2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 24 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2060pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 36W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, 24A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 35V. ID (T=25°C): 24A. IDSS (max): 25uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 35V. C(in): 990pF. Kosten): 220pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 15A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 31.25W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.036 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 20 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET“. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Schnell schaltender DC/DC-Wandler. Betriebstemperatur: -55°C...+150°C. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, 17A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 60V. C(in): 1440pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 43 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 11A. IDss (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.064 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 45 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET“. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Betriebstemperatur: -55°C...+150°C. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, 10A, 250uA, TO-220, 60V. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: TO-220. Spannung Vds(max): 60V. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 16A. IDss (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 31.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET“. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Betriebstemperatur: -55°C...+150°C. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, -45V, -0.09A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -45V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.09A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MX. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 9 Ohms @ -0.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 10 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 25pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.33W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, 0.23A, 500nA, TO-92, TO-92, 45V. ID (T=25°C): 0.23A. IDSS (max): 500nA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 45V. C(in): 60pF. Kanaltyp: P. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 3A. IDss (min): -0.23A. Pd (Verlustleistung, max): 0.7W. Einschaltwiderstand Rds On: 14 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 20 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, -60V, -1.9A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.9A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BSP171P. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ -1.9A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 276 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 460pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.8W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, -30V, -3A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BSP250.115. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2.8V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 80 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 140 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 250pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.65W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C