P-Kanal-Transistor AO3401A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.3A, 5uA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v

P-Kanal-Transistor AO3401A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.3A, 5uA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v

Menge
Stückpreis
1-4
0.41€
5-49
0.34€
50-99
0.29€
100-199
0.26€
200+
0.22€
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P-Kanal-Transistor AO3401A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.3A, 5uA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). ID (T=25°C): 4.3A. IDSS (max): 5uA. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 30 v. : erweitert. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 7nC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 933pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drain-Source-Spannung: -30V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.036 Ohms. Funktion: Niedrige Eingangsaufladung. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: ±12V. Gate/Source-Spannung Vgs: 12V. ID (T=100°C): 3.8A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 25A. Kanaltyp: P. Kosten): 108pF. Leistung: 1.4W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 1.4W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Spec info: Betriebs-Gate-Spannung nur 2,5 V. Strömung abfließen: -4A. Td(off): 42 ns. Td(on): 5.2 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 21 ns. Vgs(th) max.: 1.3V. Vgs(th) min.: 0.6V. Originalprodukt vom Hersteller: Alpha & Omega Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:52

Technische Dokumentation (PDF)
AO3401A
39 Parameter
Gehäuse
SOT-23 ( TO-236 )
ID (T=25°C)
4.3A
IDSS (max)
5uA
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-23 ( TO236 )
Spannung Vds(max)
30 v
erweitert
Anzahl der Terminals
3
Aufladung
7nC
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
933pF
Drain-Source-Schutz
ja
Drain-Source-Spannung
-30V
Einschaltwiderstand Rds On
0.036 Ohms
Funktion
Niedrige Eingangsaufladung
G-S-Schutz
nein
Gate-Source-Spannung
±12V
Gate/Source-Spannung Vgs
12V
ID (T=100°C)
3.8A
IDss (min)
1uA
Id(imp)
25A
Kanaltyp
P
Kosten)
108pF
Leistung
1.4W
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
1.4W
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Spec info
Betriebs-Gate-Spannung nur 2,5 V
Strömung abfließen
-4A
Td(off)
42 ns
Td(on)
5.2 ns
Technologie
„Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“
Temperatur
+150°C
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
21 ns
Vgs(th) max.
1.3V
Vgs(th) min.
0.6V
Originalprodukt vom Hersteller
Alpha & Omega Semiconductors