P-Kanal-Transistor AP4415GH, 24A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 35V

P-Kanal-Transistor AP4415GH, 24A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 35V

Menge
Stückpreis
1-4
2.95€
5-9
2.57€
10-24
2.32€
25+
2.10€
Menge auf Lager: 17

P-Kanal-Transistor AP4415GH, 24A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 35V. ID (T=25°C): 24A. IDSS (max): 25uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 35V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55°C...+150°C. C(in): 990pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Einschaltwiderstand Rds On: 0.036 Ohms. Funktion: Schnell schaltender DC/DC-Wandler. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. ID (T=100°C): 15A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 80A. Kanaltyp: P. Kosten): 220pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 31.25W. RoHS: ja. Td(off): 20 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET“. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Advanced Power. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:25

Technische Dokumentation (PDF)
AP4415GH
29 Parameter
ID (T=25°C)
24A
IDSS (max)
25uA
Gehäuse
D-PAK ( TO-252 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spannung Vds(max)
35V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55°C...+150°C
C(in)
990pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Einschaltwiderstand Rds On
0.036 Ohms
Funktion
Schnell schaltender DC/DC-Wandler
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
25V
ID (T=100°C)
15A
IDss (min)
1uA
Id(imp)
80A
Kanaltyp
P
Kosten)
220pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
31.25W
RoHS
ja
Td(off)
20 ns
Td(on)
10 ns
Technologie
„Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET“
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
25 ns
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
Advanced Power