P-Kanal-Transistor 2SJ407, 5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 200V

P-Kanal-Transistor 2SJ407, 5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 200V

Menge
Stückpreis
1-4
2.47€
5-24
2.15€
25-49
1.83€
50+
1.65€
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P-Kanal-Transistor 2SJ407, 5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 200V. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 100uA. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 200V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 800pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Einschaltwiderstand Rds On: 0.8 Ohms. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Id(imp): 20A. Kanaltyp: P. Kosten): 270pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS (F). Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:26

Technische Dokumentation (PDF)
2SJ407
22 Parameter
ID (T=25°C)
5A
IDSS (max)
100uA
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220FP
Spannung Vds(max)
200V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
800pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Einschaltwiderstand Rds On
0.8 Ohms
Funktion
P-Kanal-MOSFET-Transistor
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
Id(imp)
20A
Kanaltyp
P
Kosten)
270pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Technologie
V-MOS (F)
Transistortyp
MOSFET
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Toshiba