N-Kanal-Transistor, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V, 5.7A, 9A, 50uA - IRF630

N-Kanal-Transistor, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V, 5.7A, 9A, 50uA - IRF630. N-Kanal-Transistor, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V, 5.7A, 9A, 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.35 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 200V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 50uA. RoHS: ja. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 12 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: MESH OVERLAY MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. C(in): 540pF. Kosten): 90pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 170 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochstromschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 36A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Originalprodukt vom Hersteller Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.