IRF630PBF

IRF630PBF. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF630PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 5.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 9.4 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 800pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 74W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 14:25.