Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 1.08€ | 1.30€ |
5 - 9 | 1.03€ | 1.24€ |
10 - 24 | 0.97€ | 1.16€ |
25 - 49 | 0.92€ | 1.10€ |
50 - 99 | 0.90€ | 1.08€ |
100 - 249 | 0.88€ | 1.06€ |
250 - 1485 | 0.83€ | 1.00€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 1.08€ | 1.30€ |
5 - 9 | 1.03€ | 1.24€ |
10 - 24 | 0.97€ | 1.16€ |
25 - 49 | 0.92€ | 1.10€ |
50 - 99 | 0.90€ | 1.08€ |
100 - 249 | 0.88€ | 1.06€ |
250 - 1485 | 0.83€ | 1.00€ |
IRF640NPBF. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF640NPBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1160pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Gehäuse (JEDEC-Standard): 150W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 14:25.
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