N-Kanal-Transistor, 3A, SO, SO-8, 50V - IRF7103

N-Kanal-Transistor, 3A, SO, SO-8, 50V - IRF7103. N-Kanal-Transistor, 3A, SO, SO-8, 50V. ID (T=25°C): 3A. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 50V. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 2. Funktion: 2xN-CH 50V. G-S-Schutz: NINCS. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 15:25.