IRF7233

IRF7233. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7233. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -9.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -1.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 26 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 77 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 6000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.6W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 07:25.