IRF730

IRF730. C(in): 700pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 270 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 22A. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.5A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 38 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 400V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.