N-Kanal-Transistor, 3.3A, 5.5A, 250uA, 1 Ohm, TO-220, TO-220AB, 400V - IRF730

N-Kanal-Transistor, 3.3A, 5.5A, 250uA, 1 Ohm, TO-220, TO-220AB, 400V - IRF730. N-Kanal-Transistor, 3.3A, 5.5A, 250uA, 1 Ohm, TO-220, TO-220AB, 400V. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.5A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 400V. RoHS: ja. C(in): 700pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 270 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 22A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 38 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 17:25.