IRF7342PBF

IRF7342PBF. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7342. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.4A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ -3.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 22 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 64 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 690pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 06:25.