IRF7413Z

IRF7413Z. C(in): 1210pF. Kosten): 270pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 24 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Extrem niedrige Gate-Impedanz. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 9.2A. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 11 ns. Td(on): 8.7 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 95. Einschaltwiderstand Rds On: 0.008 Ohms. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 00:25.