IRF7416

IRF7416. C(in): 1700pF. Kosten): 890pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 56 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 45A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 25uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.02 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 59 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Vgs(th) max.: 2.04V. Vgs(th) min.: 1V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 00:25.