IRF7832PBF

IRF7832PBF. C(in): 4310pF. Kosten): 990pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 41us. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.031 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 10 ns. Td(on): 21 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.32V. Vgs(th) min.: 1.39V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 00:25.